Transistoren aus Siliciumkarbid, wie sie in einer Forschungskooperation von Siemens mit russischen Wissenschaftlern entwickelt werden, schaffen fünf Kilowatt Leistung auf nur sechs Quadratmillimeter Fläche – eine ähnlich leistungsfähige Elektronenröhre würde ein Volumen von rund zehn Litern benötigen. Der Vorteil von Siliciumkarbid ist, dass sich die Elektronen in diesem Material viel freier bewegen können als in Silicium. Dies ermöglicht zehnfach höhere Frequenzen im Mikrowellenbereich. Außerdem leiten sie die Wärme besser ab und verkraften daher höhere Leistungen. Siemens ist einer der Pioniere der Siliciumkarbid-Technik und bringt sie nun in entsprechende Anwendungen.