09. April 2013
Zusammen mit dem Budker-Institut in Novosibirsk, dem Institut für theoretische und Experimentalphysik in Moskau, sowie Partnern in Deutschland entwickelt Siemens einen Hochleistungsgenerator für lineare Teilchenbeschleuniger. Herzstück des neuen Generators sind Transistoren aus dem Halbleitermaterial Siliciumkarbid – eine chemische Verbindung aus Silicium und Kohlenstoff. Dies ist das Schlüsselelement, um in Zukunft leistungsstarke Linearbeschleuniger wesentlich kleiner und kompakter bauen zu können. Diese Transistoren arbeiten bei bis zu zehnfach höheren Frequenzen im Bereich mehrerer hundert Megahertz (MHz) – ab 300 MHz spricht man von Mikrowellen. So hoffen die Forscher, vor allem große Anlagen, die heute bis zu hundert Meter lang sein müssen, auf etwa ein Viertel der Größe zu bringen.
Im Bild: Dr. Alexey Tribendis am Budker-Institut für Kernphysik in Novosibirsk mit Teilen eines Linearbeschleunigers, eine der Anwendungen des neuartigen Mikrowellen-Leistungsverstärker aus Siliciumkarbid.
Reference Number: PN201305-01